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GaN(氮化镓)MOS
|
型号 |
沟道 |
VDS (Max) |
VTH |
ID (Max) |
RDS (on) (Max) |
Qg |
Qrr |
Ciss |
Coss |
Crss |
Tj |
Rθjc |
Rθja |
封装 |
|
HMN8N65D |
N沟道 |
650V |
1.65V |
8A |
220 mohm |
18nC |
50nC |
1150pF |
25pF |
1pF |
-55- 150 ℃ |
4.5℃/W |
50℃/W |
DFN8*8-2L |
|
HMN20N65 |
N沟道 |
650V |
1.65V |
20A |
120 mohm |
20nC |
46nC |
1250pF |
48pF |
2pF |
-55- 150 ℃ |
1.28℃/W |
50℃/W |
TO-220 |
|
HMN20N65D |
N沟道 |
650V |
1.65V |
20A |
125 mohm |
20nC |
56nC |
1050pF |
56pF |
2pF |
-55- 150 ℃ |
1.8℃/W |
50℃/W |
DFN8*8-2L |