IGBT模块_深圳市华之美半导体有限公司

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ED3封装IGBT半桥模块

型号 IGBT芯片参数

Vces Ic(100°C) Icm Vge(th) Vges Vce(sat) Qg Rgint

HMGM450HF12ED3 1200V 450A 900A 5.0V -20V-20V 1.65V 3.3uC 1.5ohm

型号封装电路结构二极管参数模块参数

正向电流正向电压反向电荷隔离电压爬电距离

HMGM450HF12ED3 ED3 半桥 450A 1.7V 33.41uC 3400V 14.5mm

应用领域：光伏储能/直流快充/智能电网

62mmIGBT半桥模块

型号 IGBT芯片参数

Vces Ic(100°C) Icm Vge(th) Vges Vce(sat) Qg Rgint

HMGM450HF12M62 1200V 450A 900A 5.0V -30V-30V 1.95V 2.6uC 3.9ohm

HMGM600HF12M62 1200V 600A 1200A 5.0V -20V-20V 1.6V 6.9uC 0.53ohm

HMGM200HF17M62 1700V 200A 400A 5.0V -20V-20V 1.65V 2.1uC -

HMGM300HF17M62 1700V 300A 600A 5.0V -20V-20V 1.65V 3.1uC -

型号封装电路结构二极管参数模块参数

正向电流正向电压反向电荷隔离电压爬电距离

HMGM450HF12M62 62mm 半桥 450A 2.0V 25uC 4000V 47mm

HMGM600HF12M62 62mm 半桥 600A 1.64V 46.7uC 3400V 47mm

HMGM200HF17M62 62mm 半桥 200A 1.8V 38uC 4000V 47mm

HMGM300HF17M62 62mm 半桥 300A 2.1V 53uC 4000V 47mm

应用领域；工业电源/工业用变流器/光伏储能/智能电网

型号	IGBT芯片参数
型号	Vces	Ic(100°C)	Icm	Vge(th)	Vges	Vce(sat)	Qg	Rgint
HMGM450HF12ED3	1200V	450A	900A	5.0V	-20V-20V	1.65V	3.3uC	1.5ohm

型号	封装	电路结构	二极管参数			模块参数
型号	封装	电路结构	正向电流	正向电压	反向电荷	隔离电压	爬电距离
HMGM450HF12ED3	ED3	半桥	450A	1.7V	33.41uC	3400V	14.5mm