产品搜索:
您现在的位置:首页 >MOS管/IGBT

 耗尽型MOS场效应管

型号

沟道

 VDS
(Max)

 VGS

VTH
(Typ)

ID
(Max)

IDM
(Max)

RDS(on)
(Max)

封装

直接替代型号

HM5001E

N沟道
耗尽型
带ESD保护

600V

20V

-1.8V

30mA

120mA

350Ω

SOT-23

DMZ6005

HM1060E

N沟道
耗尽型
带ESD保护

600V

20V

-2.5V

100mA

400mA

120Ω

SOT-23

 

HM2015E

N沟道
耗尽型
带ESD保护

150V

20V

-6V

200mA

600mA

15Ω

SOT-23