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低压超级沟槽MOS

型号

沟道

VDS(Max)

VGS

VTH(Typ)

 (Max)

IDM

RDS(on)(Max)

封装

直接替代型号

HMS4438

N沟道

60V

20V

1.8V

10A

60A

12mΩ

SOP8

AO4438/ME4436/Si4436DY
Si4850EY/IRF7478
IRF7478Q/IRF7855/ETM6009

HMS4260

N沟道

60V

20V

1.7V

20A

130A

4.0mΩ

SOP8

AO4260

HMS4444

N沟道

85V

20V

1.8V

15A

60A

7.0mΩ

SOP8

AO4444L/AO4448

HMS4454

N沟道

100V

20V

1.8V

8A

40A

20mΩ

SOP8

AO4454/AO4452/FDS3672

HMS4296

N沟道

100V

20V

1.7V

12A

48A

11.5mΩ

SOP8

AO4296

HMS4294

N沟道

100V

20V

1.7V

14A

56A

8.8mΩ

SOP8

AO4294

HMS4290

N沟道

100V

20V

1.7V

16A

64A

7.9mΩ

SOP8

AO4290

备注:
1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流,实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
2. 建议在MOS的栅源(G/S)极之间并一个电阻(10K)和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源(G/S)极过压的作用。
3.建议MOS管的开启电压尽量提高,这样MOS管才能充分开启导通,这个时候内阻最小,不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上,中高压MOS的开启电压设定为10V以上.
4.MOS 电路操作注意事项:
静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏:
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

华之美半导体超级沟槽工艺MOS系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。通过采用这一先进技术,最新的30V-100V中低压MOS产品的FOM(品质因数(Rdson*Qg))比上一代产品降低了45%。新款超级沟槽工艺MOS的软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰,实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关。
 
超级沟槽工艺技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,以100V产品为例,对比上一代沟槽型MOSFET产品,超级沟槽工艺技术将器件175度下的导通电阻倍增因子(Rdson@Tc=175C/Rdson@Tc=25C)由原有的2.29降低为2.09,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。超级沟槽工艺MOS产品将更适宜于高温严酷环境下的应用!
 
配合先进的封装技术,超级沟槽工艺技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理。
 
目前推出的量产品种包含30、40、60、80V、100V的中低压系列,同时为您带来包括TO-247、TO-220、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封装外形选择。
 
特点与优势:
 
· 极低的Rdson                             
· 极低的Qg和Qgd                         
· 极低的FOM(Rdson*Qg)           
· 高温下的电流能力更强
· 快速柔软恢复的体二极管特性   
· 低Crss/Ciss,增强抗EMI能力    
· 高UIS耐量,100%出厂测试          
· 符合RoHS标准
 
应用:
 
· 交流/直流电源的同步整流           
· 直流电机驱动            
· 逆变器          
· 电池充电器和电池保护电路
· 26V-96V系统中的马达控制                
· 隔离的直流-直流转换器                           
· 不间断电源

 

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