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 高压超结MOS

型号

沟道

VDS
(Max)

VGS

VTH

ID
(Max)

IDM
(MAX)

RDS(on)
(Max)

封装

直接替换型号

HMS8N60/F/K/I

N沟道

600V

30V

3V

8A

24A

480mΩ

TO-220/
TO-220F/
TO-252/TO-251

IPP60R600/IPA60R600/
IPP60R520/IPA60R520

HMS11N60/F/D

N沟道

600V

30V

3V

11A

33A

300mΩ

TO-220/
TO-220F/
TO-263

IPP60R330P6/IPA60R330P6/
IPP60R380/IPA60R380
IPP60R450E6/IPA60R450E6/
IPA60R400CE/IPA60R460CE

HMS15N60/F/D/A

N沟道

600V

30V

3V

15A

45A

230mΩ

TO-220/
TO-220F/
TO-263/
TO-3P

IPP60R230P6/IPA60R230P6/
IPP60R280/IPA60R280

HMS21N60/F/A

N沟道

600V

30V

3V

21A

63A

150mΩ

TO-220/
TO-220F/
TO-3P

IPP60R180C7/IPA60R180C7
IPP60R190/IPA60R190/
IPP60R160C6/IPA60R160C6

HMS47N60A

N沟道

600V

30V

3.5V

47A

141A

70mΩ

TO-3P

IPA60R099C7/IPA60R099P6/IPA60R099C6
IPA60R099C6/IPA60R099E6

HMS8N65/F/K/I

N沟道

650V

30V

3V

8A

24A

480mΩ

TO-220/
TO-220F/
TO-252/TO-251

IPP65R600/IPA65R600

HMS11N65/F/D

N沟道

650V

30V

3V

11A

33A

300mΩ

TO-220/
TO-220F/
TO-263

IPP65R380/IPA65R380

HMS15N65/F/D/A

N沟道

650V

30V

3V

15A

45A

230mΩ

TO-220/
TO-220F/
TO-263/
TO-3P

IPP65R225C7/IPA65R225C7
IPP65R280/IPA65R280

HMS21N65/F/A

N沟道

650V

30V

3V

21A

63A

180mΩ

TO-220/
TO-220F/
TO-3P

IPP65R190/IPA65R190

HMS47N65A

N沟道

650V

30V

3.5V

47A

141A

80mΩ

TO-3P

IPA65R080C6/IPA65R080E6

HMS4N70/F/K/I

N沟道

700V

30V

3V

4A

12A

1200mΩ

TO-220/
TO-220F/
TO-252/TO-251

IPP70R1K2/IPA70R1K

HMS8N70/F/K/I

N沟道

700V

30V

3V

8A

24A

540mΩ

TO-220/
TO-220F/
TO-252/TO-251

IPP70R600/IPA70R60

HMS21N70/F/A

N沟道

700V

30V

3V

21A

63A

180mΩ

TO-220/
TO-220F/
TO-3P

IPP70R190/IPA70R19

HMS5N80K/I

N沟道

800V

30V

3.5V

5A

15A

1290mΩ

TO-252/TO-251

IPP80R1K2P6

HMS7N80K/I

N沟道

800V

30V

3.5V

7A

21A

840mΩ

TO-252/TO-251

IPP80R900P6

HMS18N80F

N沟道

800V

30V

3.5V

18A

54A

280mΩ

TO-220F

IPP80R280

HMS5N90K/I

N沟道

900V

30V

3.5V

5A

15A

1480mΩ

TO-252/TO-251

IPP90R1K2P6

HMS7N90K/I

N沟道

900V

30V

3.5V

7A

21A

995mΩ

TO-252/TO-251

IPP90R1K0P6


备注:
1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流,实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
2. 建议在MOS的栅源(G/S)极之间并一个电阻(10K)和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源(G/S)极过压的作用。
3.建议MOS管的开启电压尽量提高,这样MOS管才能充分开启导通,这个时候内阻最小,不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上,中高压MOS的开启电压设定为10V以上.
4.MOS 电路操作注意事项:
静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏:
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

利用先进的电荷平衡技术,华之美半导体全新推出第二代超结MOSFET系列产品,在第一代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度,产品特征导通电阻(Rdson*A)降低40%,开关损耗降低12%,总能效提升1.7%。我们为电路设计师提供600V-900V,4A-20A的多样电压-电流选择,同时,也为您带来TO-252/TO-251/TO-220/TO-220F/TO-263/TO-3P的不同功率选择,实现占用更少的电路板空间并提高可靠性。
 
通过采用领先的单层外延工艺技术,第二代超结MOSFET当中新增了700V-900V的产品系列,为系统应用提供更加充足的耐压余量,简化电路设计难度,提供更高的系统可靠性。这些产品广泛适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器以及智能手机、平板电脑充电器。
 
产品特征:
·卓越的功率转换效率                                                      
·极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻(Ron*A)
·极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM(Ron*Qg)          
·更小的封装体积               
·卓越的EAS能力(100% EAS测试)
 
产品应用:
· 电脑、服务器的电源                                                     
· 适配器(笔记本电脑,打印机等                          
· 照明(HID/LED照明,工业照明,道路照明等                                
· 消费类电子产品(液晶电视,等离子电视等)

 

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